Intel und Micron quetschen 3,5 TB auf einen Kaugummistreifen

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Indem sie Speicherzellen vertikal stapeln, wollen Intel und Micron die Speicherkapazität von NAND-Flash-Geräten verdreifacht haben. Die Massenproduktion der ersten Geräte soll Ende 2015 loslegen.

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Nahaufnahme eines 3D-Nand-Wafers. (Quelle: Intel)

Mit 3D-Nand-Flash-Speicher sollen 3,5 Terabyte auf einem Gerät, so gross wie ein Kaugummistreifen passen. (Quelle: Intel)

Intel und Micron wollen die Speicherkapazität von NAND-Flash-Geräten verdreifacht haben. Die gemeinsam entwickelte Technologie 3D-NAND stapelt Schichten aus Datenspeicherzellen vertikal, wie Intel mitteilt. Dies hebe die Skalierungsgrenzen für Flashspeicher des Typs NAND auf.

Mit der 3D-NAND-Technik könne ein Hersteller ein Speichervolumen von 3,5 Terabyte in ein Gerät von der Grösse eines Kaugummistreifens quetschen. Trotz der erweiterten Gedächtnisleistung senke die Technologie gemäss der Mitteilung die Kosten und den Stromverbrauch.

"Die signifikante Verbesserung hinsichtlich Dichte und Kosten durch unsere neue 3D-NAND-Technologie wird den Einsatz von SSDs in Computing-Plattformen beschleunigen", sagt Rob Crooke, Vice President und General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel.

Massenproduktion soll Ende Jahr anlaufen

Die Technologie setzt auf Floating-Gate-Zellen, die in ihrer Grundform auf die Sechzigerjahre zurückgehen. Diese speziellen Transistoren können auch ohne Stromzufuhr Informationen behalten.

Die Hersteller beginnen nun nach eigenen Angaben damit, mit ausgewählten Partnern erste 256-Gigabit-Muster anzufertigen. Die Massenproduktion soll noch im vierten Quartal des laufenden Jahres beginnen.